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打破外國壟斷,中國半導體即將量

更新時間:2019-06-17 點擊次數(shù):794

根據(jù)日本媒體報道稱,中國企業(yè)或于年內(nèi)開始量產(chǎn)國產(chǎn)動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)。長鑫存儲技術有限公司即將迎來量產(chǎn)。排污泵

長鑫存儲是3家國家戰(zhàn)略型存儲器公司之一,于2016年在安徽省合肥市政府等的支持下成立。公司為了生產(chǎn)面向移動設備等的DRAM芯片,推進了價值550億元人民幣的項目。化工泵

DRAM芯片負責數(shù)據(jù)的臨時記憶,左右著智能手機、服務器等電子設備的性能。其市場規(guī)模達到10萬億日元(10萬日元約合6383元人民幣)。由于對技術要求比較高,目前光是韓國三星電子、韓國SK海力士、美國美光科技3家企業(yè)就占據(jù)95%以上的份額。磁力泵

圍繞中國企業(yè)的半導體國產(chǎn)化,中國為了實現(xiàn)半導體國產(chǎn)化這一夙愿,展現(xiàn)出毫不松懈的態(tài)度。中國政府將半導體產(chǎn)業(yè)定位為重點產(chǎn)業(yè)。2018年,中國半導體國內(nèi)自給率為15%左右,但中國的目標是,到2020年將自給率提高至40%,到2025年提高至70%。自吸泵

長鑫存儲有望于2019年末至2020年初開始量產(chǎn)。初期生產(chǎn)能力按硅晶圓來換算,每月可達到1萬片左右,不足產(chǎn)量的1%。不過,對于在高性能半導體方面依賴海外企業(yè)的中國來說,這次開始量產(chǎn)則是邁出了一大步。

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